Digitale Geräte haben sich im Laufe der Jahre weiterentwickelt. Mit dem Fokus auf ein verbessertes Benutzererlebnis haben Änderungen in Design, Größe, Display und mehr zur Produktion neuerer und besserer Geräte geführt. Ein anhaltendes Problem war jedoch die Akkulaufzeit. Daher war eine Vergrößerung des Akkuvolumens unvermeidlich. Diese Lösung brachte eine neue Herausforderung mit sich: die Ladezeit. Diese Lösung löste die Akkuprobleme jedoch nicht, da die Ladezeit zum Problem wurde. Der Bedarf an kürzeren Ladezeiten führte zur Entwicklung von Schnellladeprotokollen. Hochleistungs-Schnellladen ist für digitale Geräte zum Standard geworden.
Es gibt heute eine große Auswahl an Schnellladeprotokollen auf dem Markt. Zu den beliebtesten Produkten gehören Qualcomm QC (Quick Charge), OPPO VOOC, SCP (SuperCharge), HUAWEI FCP (FastCharge) und das sehr beliebte PD (Power Delivery). Trotz der umfangreichen Produktpalette blieben Probleme bestehen. Aufgrund der Leistungsdichte der Komponenten sind alle Geräte groß. Die Größe des Ladegeräts schien direkt proportional zur Ladeleistung zu sein. Je größer das Ladegerät, desto höher die Ladeleistung. Die Größe des Ladegeräts stellte eine weitere Herausforderung dar, insbesondere im Hinblick auf die Produktionskosten und den Transportkomfort.
Die Einführung leistungsstarker und kleiner Schnellladegeräte wurde durch einen Durchbruch in der GaN-Technologie ermöglicht.
Was ist GaN-Technologie?
GaN ist ein Symbol für die chemische Verbindung Galliumnitrid. Galliumnitrid wird intensiv erforscht, vor allem aufgrund seiner Halbleitereigenschaften. GaN wird zur Herstellung elektronischer Bauteile wie Transistoren, Verstärkern und Dioden verwendet. GaN gehört zur gleichen Klasse wie Silizium, das am häufigsten verwendete Halbleitermaterial. GaN verfügt jedoch über einzigartige Eigenschaften, die ihm einen Vorteil gegenüber siliziumbasierter Elektronik verschaffen. Eine dieser Eigenschaften ist die größere Bandlücke, die die Geschwindigkeit misst, mit der Energie durch das Material fließt.
Weitere Informationen zur GaN-Technologie finden Sie auf der UGREEN-BLOG-SEITE .
Warum ist Galliumnitrid wichtig?
Silizium zählt zu den drei wichtigsten Materialien bei der Herstellung von Halbleitern. Trotz seiner Einschränkungen hat sich die Technologie nicht wie gewünscht weiterentwickelt. Galliumnitrid (GaN) bietet diesen technologischen Fortschritt. GaN-Technologie ist die Zukunft der Energieumwandlung. Zu den Vorteilen der GaN-Technologie zählen unter anderem geringere Kosten, geringere Größe und höhere Effizienz. ANDROID AUTHORITY beschreibt GaN als einen Silizium überlegenen Halbleiter. GaN wird in der 5G-Antennen-, Funk- und Energietechnik eingesetzt.
Warum ist Galliumnitrid besser als Silizium?
Der entscheidende Vorteil von GaN gegenüber Silizium liegt in seiner Energieeffizienz. GaN verfügt über eine größere Bandlücke, wodurch es höhere Temperaturen und Spannungen aushält als Silizium. Der GaN-Hersteller Efficient Power Conversion Corporation erklärte, dass GaN Elektronen effizienter leiten könne als Silizium. Chips aus GaN werden kleiner, schneller, effizienter und günstiger sein als Chips aus Silizium.
Die Siliziumtechnologie hat im Laufe der Jahre Fortschritte gemacht. Im Bereich der Energieumwandlung hat die Siliziumtechnologie jedoch einen Sättigungspunkt erreicht. Sie konnte keine neuen Wege beschreiten und hat der GaN-Technologie den Vortritt gelassen.
Eine ausführlichere Erklärung des Bandlückenkonzepts finden Sie unter HOWTOGEEK .
Was sind die Vorteile von GaN-Ladegeräten?
Die Eigenschaften von Galliumnitrat sind in GaN-Ladegeräten enthalten, wodurch GaN-Ladegeräte Vorteile gegenüber Silizium-Ladegeräten bieten. Im Vergleich zu Silizium-Ladegeräten benötigen GaN-Ladegeräte weniger Komponenten. GaN-Ladegeräte sind kleiner und leiten höhere Spannungen. GaN-Ladegeräte übertragen Strom effizienter und sparen Energie. Die eingesparte Energie ermöglicht einen besseren Fluss zum Ladegerät, was zu schnelleren Ladezeiten führt.
Halbleiter und Ladegeräte aus GaN sind tendenziell kleiner und effizienter und daher weniger anfällig für Erhitzung.
Die Produktionskosten für GaN-Bauelemente sind niedriger als die derzeit für Siliziumhalbleiter. GaN-Bauelemente werden in denselben Fabriken wie Siliziumhalbleiter hergestellt.
Die Vorteile von GaN gegenüber Silizium sind zahlreich, lassen sich aber wie folgt zusammenfassen
- Schnellere Geräte führen zu geringeren Schaltverlusten
- Geringerer Stromverbrauch zum Ansteuern der Schaltung
- Niedrigere Produktionskosten
- Kleinere Geräte, die weniger Platz auf der Leiterplatte beanspruchen
- Niedrigerer Widerstand führt zu geringeren Leitfähigkeitsverlusten
- Reduzierte Kapazität führt zu geringeren Verlusten beim Laden und Entladen
Wo kann man heute ein GaN-Ladegerät kaufen?
GaN-Ladegeräte erfreuen sich wachsender Beliebtheit und Nachfrage, sind aber noch nicht weit verbreitet. HOWTOGEEK enthüllt, dass Anker und RAVPower ideale Anlaufstellen für GaN-Ladegeräte sind. Sie bieten eine Reihe von Ladegeräten an, darunter auch USB-C-Ladegeräte für Laptops.
Der Anker PowerPort Atom PD1 ist für Tablets, Smartphones und Laptops konzipiert. Er ist 40 Prozent kleiner als die handelsüblichen Nicht-GaN-Ladegeräte und hat eine Nennleistung von 30 Watt.
Ein weiteres GaN-Ladegerät von Anker ist der PowerPort Atom PD2 mit einer Leistung von 60 Watt. Er verfügt über zwei USB-C-Anschlüsse, sodass Sie zwei Geräte gleichzeitig laden können.
RAVPower bietet eine ähnliche Palette an Ladegeräten mit GaN-Technologie an.
Die beste Option für den Kauf eines GaN-Ladegeräts ist wahrscheinlich ESR. Das Unternehmen bietet eine große Auswahl an GaN-Ladegeräten und gewährt Rabatte beim Kauf von Paketen. Ein Blick auf die detaillierten Funktionen der angebotenen Ladegeräte kann Ihnen bei der Auswahl helfen.
65-W-GaN-USB-C-PD-Ladegerät (US-Stecker)
USD$ 36.54 JETZT EINKAUFEN
Dieses Ladegerät ist derzeit für unter 40 US-Dollar erhältlich und mit iPhone, iPad, Samsung Galaxy und mehr kompatibel. Zu den Funktionen gehören:
- PD-Schnellladung: Lädt das MacBook Pro 13" in weniger als 2 Stunden von 0 % auf 100 %. Mit USB Power Delivery lädt Ihr iPhone in 30 Minuten bis zu 50 % auf.
- Intelligente Stromverteilung: Liefert 65 W im Einzelportmodus und 45 W im Dualportmodus.
- Tragbar und kompakt: Ideal zum Aufladen unterwegs, da es bequem in die Tasche passt. Es ist etwa halb so groß wie das 60-Watt-Ladegerät von Apple und etwa 35 % leichter.
- GaN-Technologie: Nimmt weniger Platz ein und erzeugt weniger Wärme. Bietet eine bessere Effizienz als herkömmliche Ladegeräte.
53,53 USD JETZT EINKAUFEN
Dieses Produkt wird zu einem reduzierten Preis verkauft, wird mit einem Ladepaket geliefert und verfügt über einige verlockende Funktionen.
- Paketinhalt: 65 W GaN USB-C PD-Ladegerät (US-Stecker) + 3,3 Fuß/1 m MFi USB-C auf Lightening PD-Ladekabel
- Kompatibilität: iPhone SE/11/11 und mehr
- GaN-Technologie: Ermöglicht schnelleres Laden und ist kompakter als herkömmliche Ladegeräte. Erzeugt weniger Wärme.
- Intelligente Stromverteilung: Liefert 65 W im Einzelportmodus und 45 W im Dualportmodus.
- PD-Schnellladung: USB Power Delivery lädt Ihr iPhone in 30 Minuten bis zu 50 % auf.
50,98 USD JETZT EINKAUFEN
Dieses Produkt ist zum reduzierten Preis von 50,98 $ erhältlich und bietet folgende Funktionen:
- GaN-Technologie: Kompakter und schnelleres Laden. Erzeugt weniger Wärme.
- Paketinhalt: 65 W GaN USB-C PD-Ladegerät (US-Stecker) + 6,6 Fuß/2 m USB-C-auf-USB-C 2.0-Kabel.
- PD-Schnellladung: Lädt das MacBook Pro 13" in weniger als 2 Stunden von 0 % auf 100 % auf.
- Intelligente Stromverteilung: Liefert 65 W im Einzelportmodus und 45 W im Dualportmodus.
- Unterstützt nur Schnellladen nach PD-Standard.
Der Durchbruch in der GaN-Technologie hat den digitalen Raum neu definiert. GaN-Ladegeräte als intelligente Produkte zu bezeichnen, ist nicht fehl am Platz. Er markiert den Beginn einer Ära, in der ein Protokoll alle Ihre Geräte auflädt. Ein gutes Ladegerät kann mehrere Ladegeräte ersetzen. Das GaN-Ladegerät bietet Ihnen das Privileg, mehrere Geräte mit einem Ladegerät aufzuladen, was es zu einem unverzichtbaren Gerät macht.
